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國立臺灣大學電機資訊學院光電工程學研究所碩士論文氮化鋁鎵 ...

AlGaN/GaN MOS-HEMT 兩種元件，除了對於製作過程中所需的各項技術進行確認， ... 矽在能隙寬度、耐受溫度等條件均能與氮化鎵匹敵，然而電子遷移率較差的缺點 ...

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