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使用集成GaN 解决方案提高功率密度 - 电子工程世界

GaN 器件具有超级敏感的栅极，因为它们不是传统意义上的MOSFET，而是高电子迁移 ... 共源共栅型GaN FET 的主要缺点是FET 的输出电容较高，并且由于体 ...

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