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基于GaN MOS器件的注入和氧化工艺研究-手机知网
而GaN基MOS结构器件,不仅克服了传统GaN HEMT器件栅泄漏电流过大的缺点,且具有更低的功耗和更大的电压摆幅,因而成为目前研究的热点。然而,由于GaN工艺的不成熟, ...
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