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國立台灣師範大學

3-1-3 氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN) HEMT 崩潰電壓與導通. 電阻原理. ... 以及絕緣和較穩定的成長技術，但散熱係數較差為其致命缺點，當元件.

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