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電動車電子元件材料GaN和SiC相互競逐 - 科技產業資訊室

其實，SiC與GaN皆屬於第三代寬能隙WBG材料，各有優缺點。 碳化矽SiC材料方面以SiC來說，碳化矽結合MOSFET不僅可以做得更薄、能耗更小，且可耐1200V ...

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