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安森美半導體GaN電晶體追求更快、更智慧和更高能效

表2：第一代600 V GaN-on-Si HEMT 與高壓MOSFET比較. Cascode相當於由GaN HEMT和低壓MOSFET組成：GaN HEMT可承受高電壓，過電壓能力達到750 V，並提供 ...

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