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光電科技研究所 - 國立臺灣師範大學

當MOSFET 閘極上方之電壓為正電壓時，其下方n-GaN 將不會有通. 道產生，因此將不會有載子於通道 ... 種比較後較佳，其優點在於(1)不必再磊晶成長，因此製程時間較短(2).

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