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功率MOSFET - 维基百科，自由的百科全书

功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體，因此在驅動上比較容易。功率MOSFET的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。

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