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氮化镓FET相比MOSFET有什么优势？ - 电子工程专辑

目前，增强型GaN FET主要是在耗尽型高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor，GaN HEMT)结构的基础上改进而成。目前主要的 ...

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