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新電子 06月號/2021 第423期 - 第 50 頁 - Google 圖書結果

... 許多廠商早在十進步,如今氮化鎵已經成多年前就已經看到氮化鎵(GaN)功切入功率 ... 跟MOSFET相比,GaN FET 在相同單位面積時,G aN 的導通電阻(RDS (ON) )可以做得更 ...

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