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安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管-原理图

基于同一导通电阻等级，第一代600 V硅基GaN(GaN-on-Si)器件已比高压硅MOSFET提供好4倍以上的门极电荷、更好的输出电荷、差不多的输出电容和好20倍以上 ...

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