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聚焦"SiC"与"GaN"—罗姆在新一代功率元器件领域的飞跃发展与 ...

作为解决这个问题的手法，除了像SJ-MOSFET一样通过结构改善来提高性能，还通过变更材料来提高性能，就是使用了碳化硅(SiC) 注2 和GaN 注3 这类宽禁 ...

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