碳化硅(SiC) MOSFET 和氮化镓(GaN) HEMT 等宽带隙(WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的 ... 这个概念的优点是可以分别优化通态电阻和电流能力与阈值电压,可以在不影响R ...
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