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電動車充電用化合物半導體技術發展

在GaN相關功率元件的發展未來方面，相較於SiC-MOSFET，GaN-FET元件因無法達到800V以上更高的崩潰電壓，因此用於電動車馬達驅動電路逆變器應用上較不具 ...

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