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ㄧ、簡介 - 國立交通大學

AlGaN/GaN 高電子遷移率電晶體（High Electron Mobility Transistors）. 一直是熱門研究課題，氮化鎵具有寬能帶（wide ... [1]，這是砷化鎵材料沒有的優點。

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