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羅姆半導體搶攻新世代電源市場 - Digitimes

... 崩潰電壓範圍從650V至1700V；至於氮化鎵(Gallium nitride, GaN)我們研究與發展 ... 郭文勇緊接著介紹羅姆半導體的SiC MOSFET與SBD兩款產品布局。

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