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關鍵詞(Keyword) 摘要(Abstract) - 工業技術研究院

但是Si 與GaN 的晶格常數匹配低，磊晶產生之. GaN 層其晶格錯位密度較高，容易發生龜裂，要. 生長高品質的GaN 磊晶層 ... 2"×6 新水平式MOCVD 磊晶GaN 薄膜。2011 年.

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