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以超高真空化學束磊晶系統成長氮化銦薄膜對結構特性之研究

晶軸生長且為磊晶結構，其c 軸晶格常數約為0.57 nm；兩者之間並無反應層。綜合以上結果. 得知，使用氮化鎵異質基板可成長出高品質之氮化銦薄膜。

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