你即將離開本站

並前往https://read01.com/zh-tw/4Ggex2E.html

第三代寬禁帶半導體材料SiC和GaN的研究現狀 - 壹讀

因此，Si 襯底上GaN 的外延生長及其異質結構在應力控制和缺陷控制方面面臨著嚴峻的挑戰。 外延層材料的晶格常數差異，會導致Si 和GaN 外延層界面處的高 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「gan晶格常數」的人也找了：

  1. GaN MOSFET
    2.
  2. 氮化鎵 vs 碳化矽
    3.
  3. gan半導體
    4.
  4. gan應用
    5.
  5. 氮化鎵英文
    6.
  6. 氮化鎵充電器
    7.
  7. GaN 設計
    8.
  8. Gallium nitride
    9.