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[19]中华人民共和国国家知识产权局

冲层,该层材料的晶格常数小于其上生长的III族氮化物的晶格常数,晶 ... 利用氮化铝(A1N) 的晶格常. 30 数略小于氮化镓(GaN)的晶格常数,使氮化镓铝(AlGaN)层上生长的氮化.

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