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三星GAA架构3纳米领先量产 - 传感器专家网

三星指出，3nm采用多桥通道场效晶体管（MBCFET）的GAA专利技术，突破鳍式场效晶体管（FinFET）架构性能限制，能以更高效能及更小芯片尺寸来实现更佳的功耗表现。

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