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控制閘極蝕刻，垂直比較讚！

近年來，利用氮化矽局部電荷儲存原理，取代浮停閘（Floating Gate）記憶體晶胞的研究越來越多。因此關於氮化矽記憶體元件可靠度的研究也越顯得重要。

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