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CN103383964A - 用于FinFET的结构- Google Patents

本发明涉及用于FinFET的结构。其中，一种SRAM阵列由多个FinFET形成，这些FinFET由鳍线形成。每个鳍线形成于衬底中，其中鳍线的底部部分由隔离区域包围，并且鳍线的上 ...

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