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晶圓代工先進製程步入電晶體結構轉換期

純晶圓代工廠製程由16nm開始從平面式電晶體結構（Planar Transistor）進入FinFET世代，發展至7nm製程導入EUV微影技術後，FinFET結構自3nm開始面臨物理 ...

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