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项目名称：新型晶体管Hole FinFET - 海高赛官网

本专利提出了一种兼具平面晶体管（MOSFET）和三维晶体管（FinFET）共同优点的新型晶体管: hole FinFET ,解决半导体制造领域中在抑制器件的短沟道效应 ...

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