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新型晶体管Hole FinFET - - 中国知识产权网

... 短沟道效应和维持驱动性能的提高，FinFET技术是克服上述挑战的主要手段之一，本专利提出了一种兼具平面MOSFET和FinFET优点的新型MOSFET器件结构。

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