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WO2014071664A1 - FinFET及其制造方法- Google Patents

本发明的FinFET利用第一栅极导体向半导体鳍片的下部施加偏压以减面区和漏区之间的 ... 基于体硅衬底的FinFET 在大批量制造（massive production) 时具有低成本的优点。

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