你即將離開本站

並前往https://blog.csdn.net/qq_38328278/article/details/116839581

MosFET/FinFET/GAFET ——鳍式晶体管还能走多远 - CSDN博客

finFET 于1999年诞生于加州大学，这一项想法主要为突破芯片25nm进程，解决mosFET由于制程缩小伴随的隧穿效应。 3.mosFET和finFET优缺点①finFET有源区一般 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「finfet優點」的人也找了：

  1. finfet缺點
    2.
  2. finfet製程步驟
    3.
  3. finfet介紹
    4.
  4. finfet發明人
    5.
  5. Planar FET vs FinFET
    6.
  6. finfet論文
    7.
  7. finfet gaa比較
    8.
  8. FinFET vs MOSFET
    9.