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一種增進穿隧場效電晶體性能的新穎電流增強機制研究

穿隧型場效電晶體 (Tunnel Field Effect Transistor, TFET) 被視為其中一種相當有潛力能取代MOSFET 的元件，由於TFET 能夠擁有低於60 mV/dec 的次臨界擺幅，以及非常小 ...

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