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第四代氮化鎵場效應電晶體(eGaN ® FET) - EPC Co
氮化鎵(eGaN ® )功率電晶體繼續在電源轉換性能方面提高業界基準。第四代氮化鎵器件的電壓範圍爲30 V至200 V,在性能上遠遠拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。
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