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高介電質與三五族之介面活性層在互補式金屬氧化層半導體之應用

本篇論文解釋了沉積氧化物前化學溶液鈍化處理與樣品送入原子層沉積系統(Atomic Layer Deposition)之間所經過的時間(Q-time)，三氧化二鋁與砷化銦鎵介面品質將受到樣品與 ...

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