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第一章、緒論 - 國立交通大學

在金屬-氧化層-半導體(MOS)元件上非常的多，但是關於這方面的相. 關文獻卻非常的少。 ... 潰介於模式A 與C 之間，為外質性(Extrinsic Breakdown)的崩潰，大部.

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