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半導體製程技術

矽單晶通常以柴氏法或浮區法成長。圖為柴氏法成長單. 晶示意圖。大致上是將矸鍋中，盛有高純度矽的熔融液. (維持在矽熔點攝氏1414度以上的高溫)利用長條狀的晶.

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