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利用原子層蝕刻技術克服EUV隨機變異 - 電子工程專輯

針對高解析度EUV圖案，線邊緣粗糙度(LER)和圓度偏差等因素所佔的EPE比例 ... 隨機變異在EUV微影中已變得更為顯著，因為相較於浸潤式製程，EUV需較少的 ...

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