你即將離開本站

並前往http://www.jos.ac.cn/fileBDTXB/oldPDF/2005092454548657.pdf

HEMT电子迁移率与器件参数关系

令dn为单位时间,极轴方向速度为“的电子散射到2→2+4Q 的电子数, ... Dependence of Electron Mobility of HEMT on Parameters of Device.

確定！ 回上一頁

查詢 「electron mobility單位」的人也找了：

  1. Electron mobility
    2.
  2. electron mobility公式
    3.
  3. 電子遷移率
    4.
  4. 電子遷移率計算
    5.
  5. 電子遷移率意義
    6.
  6. 矽電子遷移率
    7.
  7. 電子遷移率影響
    8.
  8. 載子濃度
    9.