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砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法

... 使oxx(B)、oxy⑶具有明确物理意义的Sn(P)及Sp(P)值的上限，具有电导单位量纲， ... Haecheon Kim Pseudomorphic high electron mobility transistor power device ...

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