你即將離開本站

並前往http://ir.lib.isu.edu.tw/retrieve/109018/isu-103-isu10107007m-1.pdf

氮摻雜氧化亞銅薄膜之製備及性質研究 - 義守大學

H =電洞載子濃度(hole carrier concentration，單位：cm-3) μe =電子載子遷移率(electron mobility，單位：cm2/Vs) μh =電洞載子遷移率(hole mobility，單位：cm2/Vs).

確定！ 回上一頁

查詢 「electron mobility單位」的人也找了：

  1. Electron mobility
    2.
  2. electron mobility公式
    3.
  3. 電子遷移率
    4.
  4. 電子遷移率計算
    5.
  5. 電子遷移率意義
    6.
  6. 矽電子遷移率
    7.
  7. 電子遷移率影響
    8.
  8. 載子濃度
    9.