你即將離開本站

並前往https://ir.lib.must.edu.tw/bitstream/987654321/695/1/%E9%99%B3%E8%82%87%E6%A5%AD-%E6%88%90%E6%9E%9C%E5%A0%B1%E5%91%8A.pdf

明新科技大學校內專題研究計畫成果報告- 接觸蝕刻截止層厚度 ...

μ 為載子遷移率(Carrier mobility)、W 為MOSFET 的閘極寬度、L為. MOSFET 的閘極長度，而ox. C 則是閘極氧化層的單位電容大小。在這個區域內，.

確定！ 回上一頁

查詢 「electron mobility單位」的人也找了：

  1. Electron mobility
    2.
  2. electron mobility公式
    3.
  3. 電子遷移率
    4.
  4. 電子遷移率計算
    5.
  5. 電子遷移率意義
    6.
  6. 矽電子遷移率
    7.
  7. 電子遷移率影響
    8.
  8. 載子濃度
    9.