你即將離開本站

並前往https://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/electric.html

Electrical properties of Indium Phosphide (InP)

Basic Parameters · For weakly doped n-InP at temperatures close to 300 K electron drift mobility: · Approximate formula for electron Hall mobility · For weakly ...

確定！ 回上一頁

查詢 「electron mobility公式」的人也找了：

  1. mobility半導體公式
    2.
  2. 電子遷移率公式
    3.
  3. 電子濃度公式
    4.
  4. 本質載子濃度公式
    5.
  5. 電子遷移率大小
    6.
  6. 電子遷移率公式推導
    7.
  7. electron mobility單位
    8.
  8. Electron mobility
    9.