你即將離開本站

並前往https://dspace.fcu.edu.tw/bitstream/2377/31635/2/D0209720105101.pdf

氧化物-半導體異質場效電晶體研製與分析 - 逢甲大學

電容值差異，可經由公式計算出介面缺陷密度。目前文獻指出可實現 ... enhancement-mode high electron mobility transistors for frequency operation,”.

確定！ 回上一頁

查詢 「electron mobility公式」的人也找了：

  1. mobility半導體公式
    2.
  2. 電子遷移率公式
    3.
  3. 電子濃度公式
    4.
  4. 本質載子濃度公式
    5.
  5. 電子遷移率大小
    6.
  6. 電子遷移率公式推導
    7.
  7. electron mobility單位
    8.
  8. Electron mobility
    9.