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EEPROM原理詳解- 碼上快樂

我們通常利用F-N隧道效應（Fowler-Nordheim tunneling）對EEPROM存儲單元進行“擦除”或“寫入”操作，簡單地說，即FLOTOX管的控制柵極與漏極在強電場的作用下 ...

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