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duv深紫外光微影技術
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TrendForce:烏俄衝突影響半導體氣體供應晶片生產成本恐上漲
惰性氣體主要應用於半導體微影製程,該製程線寬需進一步微縮至220nm以下時,即開始進入DUV(深紫外光)光源準分子雷射世代,以惰性混合氣體與鹵素分子 ...
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