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鐵電元件的快速進展：儲存級記憶體與記憶體中計算 - DigiTimes

這樣形成的電容因為二氧化鉿的永久性極化而毋需如DRAM般時時重新寫入更新(refresh)。 FeTJ (Ferroelectric Tunnel Junction)則是像MRAM般工作，只是鐵電 ...

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