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新型DRAM以VLT技術突破刷新限制 - 電子工程專輯

圖1顯示電容儲存單元的原理圖，左右圖分別代表了讀取1和讀取0時。電路透過「電荷分配」(charge sharing)偵測記憶體位元值。位元線(bitline)首先被預充電到 ...

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