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CN101026165A - 存储器元件及其形成方法

本发明所述的存储器元件及其形成方法可改善DRAM元件的可靠度和速度。 ... 杯状区域顶部的第三介电层64的厚度大于杯状区域底部的第三介电层64，厚度差异可由制程控制。

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