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DDR DRAM為汽車帶來更多優勢- 電子技術設計

另外，SRAM元件一般不易受軟錯誤和單粒子翻轉(SEU)的影響，若發生單粒子翻轉，資料會因原子粒子的衝擊而丟失。如果SRAM的容量要求適中(低於幾兆bit)，SRAM ...

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