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DRAM制造工艺_百度文库

新材料或新制造流程的介入，会对前段MOS元件的性能及制程整合做全面性的更改。 （3）深槽电容器元件位于硅圆表面以下，平坦化程度优于堆迭电容器结构。 这项特点是深槽 ...

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