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盛美前進邊緣刻蝕領域新品支持3D NAND、DRAM - 電子時報

這種方法最大限度地減少了邊緣污染對後續製程步驟的影響，提高了晶片製造的良率，同時整合背面晶圓清洗的功能，進一步優化了製程和產品結構。

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