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5G等推動下，以MRAM（磁阻式隨機存取存儲器） - Facebook

MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要分為兩大類：傳統MRAM ... 目前，DRAM製程工藝節點為1X nm，已接近極限，而Flash走到20 nm以下後，就朝3D製程轉型了 ...

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