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應材：半導體材料改善對晶片性能提升至關重要

自90奈米節點以來，採用以原位摻雜(in-situ doping)的應變選擇性磊晶薄膜(strained selective epi film)，就可改善電子遷移率並降低PMOS電晶體內的電阻，提升晶片 ...

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